EXAKTE BERECHNUNG DER VERLUSTLEISTUNGSDICHTE IN HALBLEITERN = LE CALCUL EXACT DE LA DENSITE DES PERTES D'ENERGIE DANS LES SEMI-CONDUCTEURSELSCHNER H.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 10; PP. 415-418; ABS. RUS/ENG; BIBL. 7 REF.Article

UNTERSUCHUNGEN ZUR GUNN-ELEKTRONIK = ETUDE SUR L'ELECTRONIQUE DE GUNNELSCHNER H; HOFMANN K.sdTECH.; DTSCH.; DA. (197; VOL. 22; NO 9; PP. 311-312Serial Issue

SIMULATION VON HEIBLEITERBAUELEMENTEN MIT DEM PROGRAMMSYSTEM ZANAL = SIMULATION D'ELEMENTS SEMICONDUCTEURS AU MOYEN DE L'ENSEMBLE DE PROGRAMME ZANALSPALLEK RG; ELSCHNER H.1982; NACHRICHTENTECH., ELEKTRON.; ISSN 0323-4657; DDR; DA. 1982; VOL. 32; NO 1; PP. 25-30; ABS. ENG/RUS/FRE; BIBL. 7 REF.Article

VORSCHLAG FUER EINEN MULTIDOMAENENTRANSIT IN GUNN-ELEMENTEN. = PROPOSITION POUR TRANSIT MULTIDOMAINE DANS DES ELEMENTS GUNNSTAHR H; ELSCHNER H.1975; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 25; NO 3; PP. 100-101; ABS. RUSSE ANGL. FR.; BIBL. 11 REF.Article

DAS HF-MASSENSPEKTROMETER MIT STUECKWEISE HOMOGENEM ELEKTRISCHEM QUERFELD. = SPECTROMETRE DE MASSE RADIOFREQUENCE A CHAMP TRANSVERSAL HOMOGENEELSCHNER H; KRINKE HE.1974; INTERNATION. J. MASS SPECTROM. ION PHYS.; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 13; NO 2; PP. 87-98; ABS. ANGL.; BIBL. 14 REF.Article

UNTERSUCHUNGEN ZUR BILDUNG STATISCHER DOMAENEN IN EINEM GUNN-ELEMENT. = ETUDES SUR LA FORMATION DE DOMAINES STATIQUES DANS UN DISPOSITIF A EFFET GUNNELSCHNER H; HOFMANN K.1976; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1976; VOL. 26; NO 12; PP. 463-466; ABS. RUSSE ANGL. FR.; BIBL. 10 REF.Article

SPEZIELLE ANWENDUNG DER IS A277D = APPLICATIONS PARTICULIERES DU CIRCUIT INTEGRE A277DDAHMS D; ELSCHNER H; ROEDIG G et al.1982; RADIO FERNS. ELEKTRON.; ISSN 0033-7900; DDR; DA. 1982; VOL. 31; NO 3; PP. 174-176; BIBL. 6 REF.Article

ZUR BERECHNUNG UND ANWENDUNG DER EFFEKTIVEN EMITTERFLAECHE VON BIPOLARTRANSISTOREN = CALCUL ET APPLICATION DE LA SURFACE EFFECTIVE D'EMETTEUR D'UN TRANSISTOR BIPOLAIREBENKE L; ELSCHNER H; STENZEL R et al.1982; Z. ELEKTR. INF.-ENERGIETECH.; ISSN 0323-4428; DDR; DA. 1982; VOL. 12; NO 1; PP. 1-13; BIBL. 3 REF.Article

ANWENDUNGEN DER IS A 277 D = APPLICATIONS DU CIRCUIT INTEGRE A 277 DDAHMS D; ELSCHNER H; RODIG G et al.1981; RADIO FERNS. ELEKTRON.; ISSN 0033-7900; DDR; DA. 1981; NO 12; PP. 757-776; 4 P.; BIBL. 3 REF.Article

EXPERIMENTELLE UNTERSUCHUNGEN EINES GUNN-SPEICHERELEMENTES = RECHERCHES EXPERIMENTALES SUR UN ELEMENT MEMOIRE GUNNELSCHNER H; KANTELBERG G; PETZEL B et al.1973; Z. ELEKTR. INFORM.-U. ENERGIETECH.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 3; NO 1; PP. 1-4; BIBL. 13 REF.Serial Issue

RECHNERGESTUETZTE ANALYSEVERFAHREN ALS WESENTLICHES MITTEL DES ENTWURFS VON BIPOLARBAUELEMENTEN UND -SCHALTKREISEN = METHODE D'ANALYSE ASSISTEE PAR ORDINATEUR POUR L'ETUDE DES COMPOSANTS ET DES CIRCUITS BIPOLAIRESBRAEUER K; ELSCHNER H; GROSSEHELWEG J et al.1979; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DDR; DA. 1979; VOL. 29; NO 2; PP. 63-66; BIBL. 2 REF.Article

Quasidreidimensionale Simulation von I²L-Strukturen mit dem Programmsystem SOPHIA = Simulation quasiment tridimensionnelle de logiques intégrées à injection au moyen de la collection de programmes SOPHIA = Quasithree-dimensional simulation of I²L structures with the programme system SOPHIASTENZEL, R; ELSCHNER, H.Nachrichtentechnik. Elektronik. 1983, Vol 33, Num 9, pp 371-375, issn 0323-4657Article

INFORMATIONSSPEICHERUNG MIT HALBLEITERN = STOCKAGE DES INFORMATIONS A L'AIDE DE SEMI-CONDUCTEURSDIENER KH; ELSCHNER H; LANDGRAF DIETZ D et al.1972; Z. ELEKTR. INFORM.-U. ENERGIETECH.; DTSCH.; DA. 1972; VOL. 2; NO 3; PP. 151-164; BIBL. 1 P.Serial Issue

ANALYSE DES KLEINSIGNALVERHALTENS STATISCHER ANODENDOMAENEN IN GUNN-ELEMENTEN. = ANALYSE DU COMPORTEMENT EN REGIME DE FAIBLES SIGNAUX DE DOMAINES STATIQUES ANODIQUES DANS DES DISPOSITIFS A EFFET GUNNSCHUEFFNY R; ELSCHNER H; GOETZE R et al.1978; Z. ELEKTR. INFORM.-U. ENERGIETECH.; DTSCH.; DA. 1978; VOL. 8; NO 1; PP. 3-13; BIBL. 1 P. 1/2Article

PARALLELADDIERER MIT ECL-SCHWELLWERTELEMENTEN. = ADDITION EN PARALLELE AU MOYEN D'ELEMENTS A SEUIL ECLELSCHNER H; FISCHER RJ; GROSS W et al.1975; RADIO FERNSEHM ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1975; NO 13; PP. 444-446; BIBL. 6 REF.Article

Theoretical evaluation of a novel design for digital GaAs IC'sPASSLACK, M; ELSCHNER, H; STENZEL, R et al.IEEE journal of solid-state circuits. 1988, Vol 23, Num 5, pp 1249-1256, issn 0018-9200Article

COMPUTERANALYSE NICHTSTATIONAERER VORGAENGE IN DER MIS-STRUKTUR. = ANALYSE ASSISTEE PAR ORDINATEUR DES PROCESSUS NON STATIONNAIRES DANS LES STRUCTURES MISDIENER KH; ELSCHNER H; KRAUSS M et al.1977; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1977; VOL. 27; NO 2; PP. 71-72; BIBL. 2 REF.Article

Optimization of n⁺ self-aligned short-channel normally-off GaAs MESFETs by two-dimensional numerical device simulationPASSLACK, M; STENZEL, R; ELSCHNER, H et al.Solid-state electronics. 1987, Vol 30, Num 2, pp 139-146, issn 0038-1101Article

Numerical simulation of GaAs MESFETS including velocity overshootSTENZEL, R; ELSCHNER, H; SPALLEK, R et al.Solid-state electronics. 1987, Vol 30, Num 8, pp 873-877, issn 0038-1101Article

GUNN-EFFEKT-NEGATOR. REALISIERUNGSMOEGLICHKEITEN UND ANWENDUNGENELSCHNER H; FISCHER RJ; HERRMANN W et al.1973; NACHR.-TECH., ELEKTRON.; DTSCH.; DA. 1973; VOL. 23; NO 3; PP. 93-96; ABS. RUSSE ANGL.; BIBL. 5 REF.Serial Issue